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TLS-Dicing ist eine einzigartige Laser-Technologie zum Trennen von Wafern in einzelne Chips bei der Back-End-Verarbeitung von Halbleitern. Weitere Informationen unter https://lasermikrobearbeitung.de/ Ihre Vorteile mit unserem TLS-Dicing™: TLS-Dicing™ ist eine ideale Lösung zum Dicing von Wafern und bietet viele Vorteile gegenüber derzeit etablierten Konkurrenztechnologien wie mechanischem Sägen und Laserablation. • Perfekte Seitenwände ohne Abplatzungen und Mikrorisse mit überragender Biegefestigkeit • Partikelfreie Bearbeitung / keine Wärmeeinflusszone • Kraftfreie und berührungslose Bearbeitung • Unabhängig der Gitterebene • Trennen von Rückseitenmetall ohne Abplatzungen im selben Bearbeitungsschritt • Das Schneiden von Materialstapeln ist möglich • Hohe Trenngeschwindigkeit: 300 mm/s • Sehr glatte Kanten (reduziert den Dioden-Leckstrom) • Sauberer und nahezu trockener Prozess • Nahezu keine Ausbrüche und Mikrorisse für weniger Bruch • Kein Werkzeugverschleiß • Zero-Kerf Dicing ermöglicht schmalere Straßenbreiten, wodurch mehr Chips pro Wafer möglich sind Zusätzliche technische Informationen: • Positioniergenauigkeit: 5µm • Wiederholgenauigkeit: 1µm Bearbeitbare Materialien sind u.a.: • Siliziumkarbind (SiC) • Silizium (Si) • Germanium (Ge) • Galliumarsenid (GaAs) Einsatzgebiete • Halbleiterindustrie Das Trennen von Wafern ist ein wesentlicher Prozess in der Halbleiterherstellung, der für die effiziente Chipherstelllung entscheidend ist. Da die Substratgrößen für SiC-Wafer immer größer werden und neue Anwendungen wie 3D/Stacked-Die-Packages die Dicke der Siliziumwafer beeinflussen, werden gängige Wafer-Dicing-Methoden wie das mechanische Säge in ihrer praktischen Anwendung zunehmend eingeschränkt. TLS (Thermal Laser Separation) ist eine neuartige Wafer-Dicing Methode, die erhebliche Vorteile bei den Produktionskosten, dem Durchsatz und Ausbeute für SiC- und Silizium-Wafer bietet. TLS-Dicing™ ist eine einzigartige Technologie zur Trennung von Wafern in einzelne Chips in der Back-End-Halbleiterverarbeitung. Beim TLS-Dicing™ wird thermisch induzierter mechanischer Stress verwendet, um spröde Halbleitermaterialien wie Siliziumkarbind (SiC), Silizium (Si), Germanium (Ge) und Galliumarsenid (GaAs). Ein Laser erwärmt die festen, spröden Materiale und erzeugt eine Zone mit Druckspannung und umgebender tangentialer Zugspannung. Eine zweite gekühlte Zone, die einen minimalen Abstand zur ersten Zone aufweist, erzeugt eine erneute Spannung. Die resultierende Zugspannung hat dabei in der Überlagerungsregion beider Spannungsmustern ein lokales Maximum, das scharf fokussiert ist und eine eindeutige Ausrichtung hat (senkrecht senkrecht zur Straße) und ist somit in der Lage, die Rissspitze zu öffnen und durch das Material zu führen. TLS-Dicing™ selbst ist immer ein One-Pass-Verfahren, das die gesamte Dicke des Wafers auf einmal trennt. Ausgangspunkt ist ein flacher Scribe, der entweder lokal oder kontinuierlich an der Oberfläche des Wafers erfolgt. Der lokale Scribe wird bevorzugt, um die höchste Biegefestigkeit und die geringste Partikelbildung zu gewährleisten. Andererseits bietet der kontinuierliche Scribe die besten Ergebnisse für Produkte mit Metall in der Straße und verbessert die Geradlinigkeit des Spaltprozesses. Da es sich beim TLS-Dicing™ um einen Spaltprozess handelt, sind die Kanten glatt und frei von Restspannungen oder Mikrorissen und Spaltzonen. Jegliche Reduzierung der Biegefestigkeit infolge des Spaltprozesses ist gegenüber ablativen Lasertechnologien deutlich geringer. Darüber hinaus wird das Rückseitenmetall getrennt, ohne dass es zu Delamination oder Hitzeeinwirkung kommt.